日前，美国IBM Thomas J. Watson研究中心研究员、IBM发明大师🥵、清华化工系校友林庆煌博士当选2015年美国化学会高分子材料协会Fellow (PMSE Fellow)。美国化学会高分子材料协会Fellow是美国化学会高分子材料协会于2000年设立的荣誉称号，用于表彰在高分子材料科学和工程领域做出杰出贡献的会员🦵🏿，自2000年起每年在全球会员中评选出二至八名。这是林庆煌博士继2014年当选美国化学会Fellow (ACS Fellow)后再次获得本领域内的杰出荣誉称号。

林庆煌博士从事半导体（集成电路，芯片）研究近二十年，是半导体芯片行业的知名专家❗️，应邀任中国集成电路材料产业技术创新战略联盟特聘专家。 曾参与或主持0.25微米至7纳米十代CMOS 和 DRAM 的研发及其他探索性科研项目👯‍♀️，具有研究☆、开发、工程、 管理和技术战略决策的广泛经验。林博士拥有75项已受权美国专利，另外还有约70项待受权美国专利，他是23项IBM杰出发明成就奖的获得者💖。林博士已发表学术论文60余篇，编辑出版专著6部，学术会议论文集9部。他是国际学术期刊《Journal of Micro/Nanolithography, MEMS, and MOEMS》的副主编和《Journal of Materials Research》的客座主编🧑‍💼。2002年，林博士因发明🪳、开发并实施248纳米双层光刻胶技术𓀈，获IBM技术成就奖🦇👓。这项技术突破作为四十年来IBM对世界半导体行业的主要技术贡献之一，获得2004年美国国家技术勋章。林博士发明的技术被广泛用于生产制造高端服务器和流行手机中的尖端芯片。

林庆煌博士1980年考入凯发娱乐高分子专业，分别于1985年和1988获得学士学位和硕士学位；1990年进入美国密歇根大学材料系学习，于1994年获博士学位🤾🏿‍♂️；1995年在美国得克萨斯大学奥斯汀分校化工系C. Grant Willson院士的研究组进行博士后工作；1995年底，林博士进入美国IBM公司工作至今。多年来🎮，林庆煌博士热心促进中美高端学术交流。 2008年，他共同创办“中国国际半导体技术大会”◾️，并于2012年、2013年担任大会主席。2012年，他发起并与中国化学会高分子委员会共同创办高端“中美高分子前沿论坛”👁，至今已轮流在中美连续举行四届。 林博士现担任美国化学会高分子材料协会当选主席。据了解🏨，他是美国化学会高分子材料协会成立九十年来，第一位华人当选主席🌩。

林庆煌博士